Фоточувствительность оптических сенсоров на основе дихалькогенидов переходных металлов: влияние толщины на их спектральные характеристики

Изготовлены образцы полевых транзисторов на основе твердых растворов дихалькогенидов переходных металлов. Методом фототоковой спектроскопии исследованы их спектральные характеристики. Представлены результаты теоретической оценки общего оптического поглощения двумерных полупроводников при различных толщинах образца и для разных длин волн оптического излучения с учетом многолучевой интерференции. Показано, что интерференционные эффекты вносят значительный вклад в изменение формы спектральных характеристик оптических сенсоров при изменении толщины фоточувствительного слоя дихалькогенидов переходных металлов.