RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 11, страницы 3–5 (Mi pjtf5413)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)

В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально продемонстрированы два разных подхода при эпитаксии слоев толщиной 4 $\mu$m полярного GaN(0001) или полуполярного GaN(10$\bar1$1) на $V$-образной наноструктурированной подложке Si(100) с нанометровыми буферными слоями SiC и AlN. Слои GaN(0001) были синтезированы методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии, а GaN(10$\bar1$1) – методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последующим доращиванием путем хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Показано, что слои полярного GaN(0002) имеют величину продольных упругих напряжений -0.45 GPa и минимальную полуширину кривой качания рентгеновской дифракции $\omega_\theta\sim$ 45 arcmin, а для полуполярного GaN(10$\bar1$1) эти величины составляют -0.29 GPa и $\omega_\theta\sim$ 22 arcmin соответственно. Сделан вывод о перспективности комбинированной технологии полуполярного нитрида галлия на подложке кремния ориентации (100).

Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, комбинационное рассеяние света, газофазная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 26.02.2019
Исправленный вариант: 06.03.2019
Принята в печать: 07.03.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756


 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S106378501906004X

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024