Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур

Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m. Показано, что легирование углеродом на уровне 10$^{12}$ cm$^{-2}$ в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до $\sim$50$^\circ$C при одновременном увеличении пороговой плотности тока и снижении дифференциальной эффективности.