Эта публикация цитируется в
4 статьях
Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge
А. В. Ильинскийa,
Р. А. Кастроb,
А. А. Кононовb,
М. Э. Пашкевичc,
И. О. Поповаb,
Е. Б. Шадринa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
В интервале 10–10
$^{6}$ Hz при 300 K исследованы частотные зависимости комплексного импеданса
$\dot Z$, диэлектрической проницаемости
$\dot\varepsilon$ и тангенса угла диэлектрических потерь
$\operatorname{tg}\delta$ тонких (1400
$\mathring{\mathrm{A}}$) пленок V
$_{1-x}$Ge
$_{x}$O
$_{2}$ (для
$x$ = 0 и 0.03). Установлено, что при
$x$ = 0 частотная зависимость
$\operatorname{tg}\delta$ имеет максимум на частоте 100 kHz, тогда как при
$x$ = 0.03 обнаруживается дополнительный максимум в области 10 kHz. Коул–Коул-диаграмма пленок VO
$_{2}$:Ge также приобретает особенность в виде дополнительной полуокружности. Предложена комплексная эквивалентная электрическая схема образца, позволившая благодаря рекордно высокой чувствительности метода диэлектрической спектроскопии обнаружить существование в пленке V
$_{0.97}$Ge
$_{0.03}$O
$_{2}$ двух совокупностей нанокристаллитов VO
$_{2}$: легированных Ge и практически нелегированных.
Ключевые слова:
диоксид ванадия VO
$_{2}$, легированные пленки VO
$_{2}$:Ge, корреляционные эффекты, диэлектрическая спектроскопия, электронная микроскопия.
Поступила в редакцию: 05.03.2019
Исправленный вариант: 18.03.2019
Принята в печать: 19.03.2019
DOI:
10.21883/PJTF.2019.11.47825.17767