Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана

Выведена и решена система кейновских уравнений с учетом упругих напряжений и несферичности $kP$-гамильтониана, получены аналитические выражения энергетических спектров носителей заряда. Выполнен расчет коэффициента поглощения света тяжелыми дырками с переходом в спин-отщепленную зону в квантовых ямах GaAs/InGaAs для различных направлений поляризации падающего излучения. Показано, что для гетероструктуры GaAs/InGaAs максимальное поглощение будет наблюдаться при ширине квантовой ямы 4–6 nm.