Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники

Предложена методика in situ создания омических контактов к EuO на основе алюминия методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сформированные контакты характеризуются линейной вольт-амперной характеристикой, обладают контактным сопротивлением 0.55 $\Omega$ $\cdot$ mm и стабильны на воздухе, что свидетельствует о перспективности использования предложенной технологии для формирования устройств спинтроники.