Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния

Впервые исследовано влияние образования тонких пленок силицидов никеля на миграцию собственных примесей $p$-типа кремния. Установлен существенный рост (до 3–4 раз) объемного сопротивления $\rho_{v}$ монокристалла Si при формировании на его поверхности пленки NiSi$_{2}$ толщиной $\theta\ge$ 50–100 $\mathring{\mathrm{A}}$, что объясняется миграцией атомов бора в сторону силицидной пленки. Оценочная толщина слоя Si, при которой происходит интенсивная миграция бора, составляет 800–1000 $\mathring{\mathrm{A}}$.