Аннотация:
Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры GaP/Si/Ge. Проведено моделирование энергетической диаграммы каскадных солнечных элементов GaP/Si/Ge. Выращенные на подложках Si нанослои GaP и Ge исследованы методом рамановской спектроскопии и рентгеновской дифракции. Изучены спектральные зависимости внешнего квантового выхода фотоответа наногетероструктур на основе GaP/Si/Ge для каскадных солнечных элементов.
Поступила в редакцию: 11.12.2018 Исправленный вариант: 11.12.2018 Принята в печать: 13.12.2018