И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 5,страницы 9

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния

И. Е. Панайотти^a, Е. И. Теруков^bc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Разработан метод численной оценки роста рекомбинационных потерь в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах вследствие радиационного воздействия. Расчеты основаны на анализе экспериментальных значений токов короткого замыкания. Предложенная модель позволяет оценивать степень деградации полупроводниковых структур путем вычисления уменьшения объемного времени жизни и диффузионной длины носителей заряда. Полученные результаты имеют практическую ценность для изучения возможности эксплуатации данного типа солнечных элементов в космических условиях.

Поступила в редакцию: 28.11.2018
Исправленный вариант: 28.11.2018
Принята в печать: 05.12.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2019.05.47388.17612