Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$

Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC/Si(111)-8$^\circ$ методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при субмонослойных покрытиях Ва на образцах SiC/Si(111)-8$^\circ$, выращенных методом замещения атомов. Обнаружено, что адсорбция Ва вызывает сильные изменения в спектре остовного уровня C 1$s$. Показано, что эффект обусловлен образованием новой, ранее неизвестной углеродной наноструктуры. Установлено, что наноструктура образуется исключительно на вицинальных поверхностях SiC в присутствии стабилизирующих адсорбированных атомов металла Ba и состоит из углеродных колец, в которых химические связи близки по природе к связям, присущим ароматическим соединениям.