RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1987
, том 13,
выпуск 13,
страницы
800–804
(Mi pjtf552)
Окисление чистой поверхности
$Ga\,As(110)$
и закрепление уровня Ферми
В. Л. Берковиц
,
В. А. Киселев
,
Т. А. Минашвили
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию:
24.03.1987
Полный текст:
PDF файл (458 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024