Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением

Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $p$–$n$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, изготовленной с применением химического окрашивающего травления. Предложено объяснение влияния режимов формирования пленки пористого кремния на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и основные характеристики фотоэлектрического преобразователя.