Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния

Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены нитридные гетероструктуры на подложках сапфира и кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.2 mm. Транзисторы на подложках обоих типов демонстрируют схожие высокие статические характеристики: ток насыщения более 0.75 A/mm, крутизна более 300 mS/mm, напряжение пробоя выше 120 V. Измерения малосигнальных параметров свидетельствуют о большей величине усиления транзисторов на подложках кремния в диапазоне до 5 GHz. Удельная мощность на частоте 1 GHz составляет для транзисторов на подложке сапфира 5 W/mm, на подложке кремния – 2 W/mm.