И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 4,страницы 59

Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)

И. Б. Чистохин^a, М. С. Аксенов^ab, Н. А. Валишева^a, Д. В. Дмитриев^a, И. В. Марчишин^a, А. И. Торопов^a, К. С. Журавлев^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Изучено влияние ростовых структурных дефектов поверхности слоев InAlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (001), на температурные зависимости вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки Au/Ti/InAlAs. Показано, что дефекты в виде ямок являются причиной возникновения областей с пониженной высотой барьера, которые при плотности $\ge$ 10$^{7}$ cm$^{-2}$ оказывают существенное влияние на параметры барьера Шоттки при температурах ниже 200 K.

Поступила в редакцию: 27.11.2018
Исправленный вариант: 27.11.2018
Принята в печать: 30.11.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2019.04.47342.17609