Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности

Представлены результаты исследований полупроводниковых фотопреобразователей лазерного излучения на основе AlGaAs/GaAs при величине облученности до 9 kW/cm$^{2}$ с сохранением изотермического состояния тестируемых образцов. Это подтверждается логарифмическим ходом регистрируемых зависимостей напряжения холостого хода от плотности мощности подводимого излучения. При максимальной облученности достигнуты значения напряжения холостого хода, близкие к 1.33 V. Показана возможность преобразования лазерного излучения (длина волны 840 nm) с КПД более 51% при плотности мощности 2.5 kW/cm$^{2}$.