Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей

Проведены исследования и разработана технология изготовления омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей на основе AlGaAs/GaAs. Исследовано влияние уровня легирования контактного слоя на величину концентрации свободных носителей и значение контактного переходного сопротивления. Проведено исследование технологии создания омических контактов толщиной 2–4 $\mu$m с использованием метода электрохимического осаждения слоев золота. Выявлено влияние режимов осаждения на морфологию поверхности омических контактов, монолитность структуры контактов и их электрическую проводимость.