Электронно-эмиссионные свойства полупроводниковых субмикронных частиц

Исследованы свойства электронной эмиссии в субмикронных частицах полупроводников Si, GaAs, InSb, InAs и их мультизеренных структурах. Установлено влияние свойств наночастиц на авто- и вторичную эмиссию. Предложен метод измерения коэффициента вторичной эмиссии полупроводников на основе метода сканирующей электронной микроскопии. Методом вакуумного триода исследовано влияние фотовозбуждения мультизеренной структуры полупроводниковых субмикронных частиц на их вторично-эмиссионные свойства.