Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии

Для твердых растворов Ga$_{1-x}$In$_{x}$As$_{y}$P$_{1-y}$ ($x$ = 0.86, $y$ = 0.07–0.42), полученных на InP методом газфазной эпитаксии из металлоорганических соединений при пониженном давлении, выявлено плавное изменение содержания компонентов пятой группы y по толщине эпитаксиального слоя (600–850 nm) на величину $\Delta y$ до 0.08, хотя состав газовой смеси, температура и давление в процессе роста поддерживались неизменными. Для разных составов газовой смеси величина $\Delta y$ и характер ее изменения были различными. Анализ полученных данных позволяет сделать вывод, что величина $\Delta y$ связана с деформациями, возникающими в растущем слое за счет рассогласования с подложкой.