Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей

Представлены результаты исследований по созданию новых соединительных элементов для применения в монолитных многопереходных фотопреобразователях на основе InP. В качестве альтернативы туннельным переходам продемонстрирован новый тип соединительных элементов с удельным омическим сопротивлением менее 2 m$\Omega$ $\cdot$ cm$^{2}$ в диапазоне плотностей тока до 700 A/cm$^{2}$.