Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. Е. Казакова, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, “Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 24,страницы 75

Эта публикация цитируется в 1 статье

Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления

Л. С. Лунин^ab, М. Л. Лунина^a, А. Е. Казакова^b, А. С. Пащенко^a, Д. Л. Алфимова^a, Д. А. Арустамян^b

^a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
^b Южно-Российский государственный технический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия

Аннотация: Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для каскадных фотоэлектрических преобразователей, работающих в интервале длин волн 300–1300 nm. Исследованы структурные и люминесцентные свойства нанопленок AlInGaPAs на GaAs и GaAs на Si. Изучены спектральные характеристики фотоэлементов трехкаскадного фотоэлектрического преобразователя AlInGaPAs/GaAs/Si.

Поступила в редакцию: 24.09.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.24.47033.17537