Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами

Экспериментально установлено, что время переключения треугольными импульсами в мемристорных структурах Ti–TiN–ZrO$_{2}$(Y)–Zr–Au из низкоомного в высокоомное состояние обратно пропорционально скорости нарастания напряжения на структуре, т. е. току смещения через мемристорную структуру. Предложен механизм влияния силы тока смещения на время переключения.