Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью

По эффекту Шубникова–де Гааза определены зависимости эффективной массы электронов $m^{*}$, транспортного и квантового времени релаксации импульса в псевдоморфных квантовых ямах Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As/In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/GaAs с односторонним $\delta$-легированием кремнием от концентрации электронов в интервале (1.1–2.6) $\cdot$ 10$^{12}$ cm$^{-2}$. Коэффициент непараболичности $m^{*}$ в линейном приближении оказался равен 0.133 $m_{0}$/eV. Как транспортное, так и квантовое время релаксации импульса немонотонно зависит от холловской концентрации электронов $n_{H}$, что связано с конкуренцией механизмов роста фермиевского импульса и увеличением вклада рассеяния на большие углы при увеличении концентрации доноров.