RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 23, страницы 90–95 (Mi pjtf5623)

Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена

С. Ю. Давыдовa, А. А. Лебедевab, Ю. В. Любимоваc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Для оценки влияния металлической подложки на электронное состояние квазисвободного графена предложена простая модель, учитывающая наличие двойного электрического слоя на поверхности металла. Возникающее при этом электростатическое поле сдвигает точку Дирака графена, что приводит к его допированию. Получено аналитическое выражение для заряда атомов графена. Численные оценки сделаны для граней (111) Cu, Ag, Au и Pt. Обсуждается согласие полученных оценок с имеющимися результатами численных расчетов.

Поступила в редакцию: 19.04.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47015.17347


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:12, 1089–1091

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024