А. М. Буряков, Д. И. Хусяинов, Е. Д. Мишина, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. С. Пономарев, “Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 23,страницы 146

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs

А. М. Буряков^a, Д. И. Хусяинов^a, Е. Д. Мишина^a, Р. А. Хабибуллин^bc, А. Э. Ячменев^bc, Д. С. Пономарев^bc

^a МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
^b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
^c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов релаксации и анализ коэффициента отражения в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs. Построена модель изменения коэффициента отражения в барьерном слое InAlAs в зависимости от энергии фотонов возбуждения. Объяснено резонансное поведение коэффициента отражения.

Поступила в редакцию: 24.07.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47022.17469