Формирование нанофазного смачивающего слоя и рост металла на полупроводнике

На основе данных исследования атомной плотности пленки и степени ее однородности в процессе формирования границы раздела 3$d$-переходных металлов (Cr, Co, Fe, Cu) на кремнии обосновывается новая концепция формирования контакта химически активного металла с полупроводником. Согласно этой концепции, при низкотемпературном парофазном осаждении металла на полупроводник происходит формирование двумерного нанофазного смачивающего слоя металла или его смеси с кремнием толщиной в несколько монослоев, который оказывает существенное влияние на процесс формирования и структуру границы раздела. Эта концепция изменяет взгляд на формирование контакта металла с полупроводниковой подложкой: необходимо учитывать не только процессы образования поверхностных фаз, кластеров и/или процесс перемешивания, но и эффект упругого смачивания подложки образующимися фазами.