Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована дефектная структура толстого ($\sim$15 $\mu$m) полуполярного слоя нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на кремниевой подложке ориентации (001) с использованием буферных слоев. Выявлена и проанализирована асимметрия дефектной структуры слоя. Обсуждается влияние асимметрии на скорость убывания плотности прорастающих дислокаций в эпитаксиальном слое в ходе его роста.