А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 19,страницы 40

Эта публикация цитируется в 23 статьях

Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния

А. В. Саченко^a, В. П. Костылев^a, А. В. Бобыль^b, В. Н. Власюк^a, И. О. Соколовский^a, Г. А. Коноплев^c, Е. И. Теруков^bc, М. З. Шварц^b, М. А. Евстигнеев^d

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^d Department of Physics and Physical Oceanography, Memorial University of Newfoundland, St. John's, Canada

Аннотация: Развита теория, описывающая экспериментальные зависимости внешнего квантового выхода EQE $(\lambda)$ от длин пробега фотонов для текстурированных солнечных элементов на основе Si. Рассчитаны плотности тока короткого замыкания в зависимости от толщины базы $d$ высокоэффективных солнечных элементов c КПД преобразования $\eta\ge$ 25%. Процедура позволяет провести их полную оптимизацию, в частности найти оптимальные значения толщины базы $d_{opt}$.

Поступила в редакцию: 03.05.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.19.46681.17362