Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения

Методом спектроскопии отражения на специально созданных гетероструктурах брэгговских отражателей определены показатели преломления наноразмерных слоев In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As и In$_{x}$Al$_{1-x}$As с концентрациями индия $x$ = 0.21–0.24 и алюминия $y$ = 0, 0.10, 0.20 в диапазоне длин волн 700–2000 nm. Продемонстрирована применимость метода, основанного на анализе авто- и кросс-корреляционных коэффициентов производных по длине волны в зависимости от величины отражения таких структур для нахождения дисперсионных кривых материалов, формирующих отражатель. Установлено, что увеличение концентрации индия в InGaAs и AlInAs приводит к существенному росту показателя преломления при сохранении спектрального хода значений показателя преломления, характерного для арсенида галлия и арсенида алюминия.