Формирование тонкого люминесцирующего слоя в кристаллах LiF под действием излучения тлеющего разряда

Средствами конфокальной сканирующей люминесцентной микроскопии с временным разрешением методом времякоррелированного счета одиночных фотонов исследовано образование тонких слоев люминесцирующих дефектов на гранях плоских образцов кристаллов фторида лития, размещенных в положительном столбе и темном фарадеевом пространстве тлеющего газового разряда. По характеристикам спектров и кинетики люминесценции, возникшей после облучения, установлено, что в поверхностных слоях кристаллов образуются агрегатные центры окраски. Рассмотрена роль электронов, ионов и фотонов газового разряда в механизме дефектообразования. Показано, что дефекты образуются под действием фотонов вакуумного ультрафиолета. Методом термостимулированной люминесценции измерено распределение интенсивности вакуумного ультрафиолетового излучения в разрядном промежутке. Основным источником этого излучения являются области анодного и катодного падения напряжения в тлеющем разряде.