Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$

Представлен оригинальный метод диффузии цинка через узкий зазор в InP, позволяющий воспроизводимо формировать $p$–$n$-переходы с заданной глубиной легирования без нарушения морфологии поверхности легируемых слоев. На образцах, легированных этим методом, получены профили распределения носителей заряда в слоях InP. С помощью растровой электронной микроскопии на сколах образцов определена глубина диффузии цинка.