И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 13,страницы 19

Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра

И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Продемонстрирован подход к экспресс-диагностике эпитаксиальных пленок с резким снижением плотности прорастающих дислокаций. Использован метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, в частности картирование обратного пространства. Проведен структурный анализ гетеросистем GaAs/Si(001) с низкотемпературными слоями GaAs. Зарегистрировано снижение плотности прорастающих дислокаций в пленке GaAs с образованием малоугловой границы.

Поступила в редакцию: 18.12.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46323.17160