В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 13,страницы 51

Эта публикация цитируется в 1 статье

Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом

В. В. Лундин^a, А. В. Сахаров^a, Е. Е. Заварин^a, Д. А. Закгейм^a, А. Е. Николаев^a, П. Н. Брунков^a, М. А. Яговкина^a, А. Ф. Цацульников^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Структуры AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых подложках. Подавление паразитной проводимости буферных слоев GaN обеспечивалось или преднамеренным повышением плотности краевых дислокаций, или легированием железом (GaN : Fe). Показано, что применение буферных слоев GaN : Fe, имеющих более высокое кристаллическое совершенство и более планарную поверхность, приводит к увеличению подвижности электронов в двумерном канале для носителей в 1.2–1.5 раза.

Поступила в редакцию: 28.03.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310