Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке

Предложен новый метод синтеза GaN в полуполярном направлении на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована $V$-образная наноструктура с суб-100 nm размером элементов. Показано, что применение наноструктурированной подложки в методе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений позволяет формировать слой, направление роста которого отклонено от полярного направления на угол около 62$^\circ$ при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания GaN(10$\bar1$1) $\omega_\theta\sim$60 arcmin.