Синтез высокоориентированных пленок оксида цинка на аморфных подложках методом магнетронного распыления на постоянном токе

Представлены результаты процесса получения высокоориентированных пленок ZnO на аморфных подложках с высокими скоростями роста (7 nm/s) методом магнетронного распыления на постоянном токе. На основе выполненной оптимизации местоположения подложки относительно магнетрона предложено рассматривать плавающий потенциал, до которого заряжается подложка в плазме магнетронного разряда, в качестве одного из основных технологических параметров. Исследование структурных характеристик методом электронографии показало, что с ростом температуры подложки наблюдается трансформация формы кристаллитов от пластинчатой к столбчатой.