Численное моделирование токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров, выполненных на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения

Для описания наблюдаемой токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения предложена новая физическая модель, учитывающая наличие на интерфейсной границе волноводных и активной областей изотипных $n$–$n$-гетеропереходов. Выполнено численное моделирование процессов лазерной генерации. Полученная аналитическая токовая зависимость двумерной концентрации дырок в квантовой яме позволила впервые оценить токовую зависимость коротковолновой границы спектра лазерного излучения. Достигнуто хорошее согласие расчетных и экспериментальных характеристик.