Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением

Развит алгоритм перевода мемристора в состояние с заданным сопротивлением с высокой точностью. Алгоритм основан на подаче импульсов напряжения с плавно растущей амплитудой и случайным образом изменяющейся длительностью в заданных пределах. Продемонстрирована возможность реализации алгоритма на примере мемристорных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ с $x\approx$ 10 at.%. Подобраны оптимальные параметры для работы алгоритма с минимальным количеством итераций, позволившие достичь в этом случае точности задания сопротивления не хуже 0.5%. Полученные результаты могут быть использованы при создании нейроморфных систем.