RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 10, страницы 37–45 (Mi pjtf5803)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния

В. А. Володинab, В. А. Гриценкоabc, A. Chind

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China

Аннотация: В спектрах комбинационного рассеяния света пленок почти стехиометрического аморфного нитрида кремния ($a$-Si$_{3}$N$_{4}$) обнаружен вклад от локальных колебаний связей кремний-кремний (Si–Si). Это является прямым подтверждением того, что в почти стехиометрическом $a$-Si$_{3}$N$_{4}$ имеются связи Si–Si, которые, согласно теоретическим предсказаниям, являются ловушками для электронов и дырок, т. е. ответственны за эффект памяти в Si$_{3}$N$_{4}$.

Поступила в редакцию: 05.02.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.10.46097.17223


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:5, 424–427

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024