П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 9,страницы 34

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Локальное анодное окисление слоев графена на SiC

П. А. Алексеев^a, Б. Р. Бородин^a, М. С. Дунаевский^a, А. Н. Смирнов^b, В. Ю. Давыдов^a, С. П. Лебедев^a, А. А. Лебедев^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Методом локального анодного окисления получены области оксида графена на SiC. Изменение свойств поверхности подтверждено методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Получены экспериментальные данные о проводимости, потенциале и топографии окисленных областей. Показано, что окисление приводит к повышению поверхностного потенциала. Установлена связь между такими параметрами окисления, как скорость сканирования и напряжение на зонде. Методом локального анодного окисления выполнена литография графеновой наноленты (nanoribbon) шириной $\sim$20 nm, а также получено наносужение (nanoconstriction) шириной $\sim$10 nm.

Поступила в редакцию: 15.01.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.09.46063.17211