Генерация носителей заряда в пленках кремний–германий, сильно легированных титаном, при их однородном нагреве

Представлены результаты наблюдения генерации носителей заряда и появления эдс на однородно нагреваемых сильно легированных титаном кремний-германиевых пленках $n$-типа, полученных осаждением из газовой фазы на кремниевые подложки $p$-типа. Максимальные значения эдс $\sim$ 3 mV отмечены в диапазоне температур 500–600 K при темновом токе короткого замыкания $\sim$ 0.5–1 $\mu$A, величина которого растет с увеличением температуры и достигает $\sim$ 3 $\mu$A при 800 K.