Фотовольтаические характеристики светодиодов на основе AlGaAs

Исследованы фотовольтаические характеристики более 20 типов светодиодов, излучающих в диапазоне 830–970 nm. Показано, что полупроводниковые структуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, применяемые для изготовления таких светодиодов, могут использоваться также для изготовления фотовольтаических преобразователей монохроматического излучения с достаточно высоким КПД.