Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)

Впервые проведены фотоэмиссионные исследования методом фотоэлектронной спектроскопии in situ электронной структуры поверхности $n$-GaN(0001) и интерфейса Cs/$n$-GaN(0001) в диапазоне субмонослойных Cs-покрытий. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны, спектры поверхностных состояний и остовных уровней Ga 3$d$, Cs 4$d$ и Cs 5$p$ при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 50–150 eV. Обнаружена эволюция спектра поверхностных состояний вблизи максимума валентной зоны при адсорбции атомов Cs. Показан металлический характер наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001).