Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

Приводятся измеренные импульсным методом полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в обычных гетероструктурах pHEMT и гетероэпитаксиальных структурах (ГЭС) с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT), в которых глубина квантовой ямы (КЯ) увеличена на 0.8-0.9 eV при помощи акцепторных слоев. Показано, что в ГЭС DA-pHEMT. скорость насыщенного дрейфа в 1.2–1.3 раза выше, чем в обычных ГЭС pHEMT. В спектрах электролюминесценции ГЭС DA-pHEMT отсутствуют полосы, связанные с рекомбинацией в широкозонных слоях – барьерах КЯ. Интенсивность электролюминесценции КЯ в таких ГЭС не насыщается при увеличении напряженности электрического поля. Это свидетельствует о подавлении переноса в реальном пространстве горячих электронов из КЯ в окружающие еe барьерные слои, с чем и связано увеличение насыщенной скорости дрейфа.