Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$

Методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии получены слои Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на подложках топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{3}$ и изучены условия их роста. Впервые продемонстрирована возможность выращивания эпитаксиальных слоев ферромагнетика на поверхности топологического изолятора. Полученные слои CoFeB имеют ОЦК-кристаллическую структуру с кристаллической плоскостью (111), параллельной плоскости (001) Bi$_{2}$Te$_{3}$. Использование трехмерного картографирования в обратном пространстве картин дифракции быстрых электронов позволило определить эпитаксиальные соотношения пленки и подложки.