Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Изучены зависимости количества спонтанно формируемых кластеров металлического In в слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (ПА МПЭ), от условий их роста. Исследованы N- и In-полярные слои InN, выращенные соответственно на подложках с-сапфира и темплейтах GaN и AlN. N-полярные образцы InN выращивались в стандартном режиме ПА МПЭ, для роста In-полярных слоев использовался трехстадийный режим, включающий стадии эпитаксии с повышенной миграцией атомов и метод прерывания роста под потоком азота. Для разных образцов варьировались значения температуры роста и соотношения потоков In/N. С помощью измерения и аппроксимации магнитополевых зависимостей коэффициента Холла определены величины процентного содержания кластеров In в различных слоях InN и минимальное количество металлических включений, которое может быть достигнуто варьированием условий роста.