Аннотация:
Представлены результаты экспериментального исследования двухсекционных полупроводниковых лазеров с активной областью, состоящей из трех квантовых ям InGaAs/InGaAlAs толщиной 3.1 nm. Реализован режим пассивной синхронизации мод с частотой следования импульсов 10 GHz. Проведено сравнение различных подходов для определения стабильности следования импульсов.