Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC

Изготовленные на основе эпитаксиальных 4$H$-SiC p$^{++}$–p$^{+}$–p–n$_{\operatorname{o}}$–n$^{+}$-структур высоковольтные (1600 V) диоды испытаны в качестве быстродействующих размыкателей тока в составе специальной импульсной схемы. Измеренное время обрыва тока составляет около 150 ps. Такое время является рекордно коротким для высоковольтных (свыше 1000 V) карбидкремниевых диодных размыкателей. Впервые эскпериментально оценена величина насыщенной скорости дрейфа дырок в 4$H$-SiC $p$-типа: $v_{sp}$ = 3 $\cdot$ 10$^{6}$ cm/s.