Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 3,страницы 55–61

RUS ENG

Полная версия

ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 3, страницы 55–61 (Mi pjtf5896)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резник^abcd, Г. Э. Цырлин^abcd, И. В. Штром^ab, А. И. Хребтов^a, И. П. Сошников^abe, Н. В. Крыжановская^a, Э. И. Моисеев^a, А. Е. Жуков^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования роста нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111). Использование специальной методики подготовки подложек непосредственно перед ростом позволило получить практически 100% когерентных по отношению к подложке нитевидных нанокристаллов. Обнаружено интенсивное излучение от подобных наноструктур на длине волны $\sim$1.3 $\mu$m при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 28.07.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991

Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:2, 112–114

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024