С. А. Номоев, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, К. И. Козловский, А. А. Чистяков, Е. Д. Мишина, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 2,страницы 11

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs

С. А. Номоев^a, И. С. Васильевский^a, А. Н. Виниченко^a, К. И. Козловский^a, А. А. Чистяков^a, Е. Д. Мишина^b, Д. И. Хусяинов^b, А. М. Буряков^b

^a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки LT-GaAs (low temperature gallium arsenide – арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре роста) на подложках GaAs(100) при температуре 230$^\circ$C и проведен постростовый отжиг. На поверхности пленок изготовлены фотопроводящие антенны с флажковой геометрией. Получены мощностные зависимости терагерцевого отклика при различных значениях напряжения смещения и температуры постростового отжига. Методом терагерцевой спектроскопии исследованы спектральные характеристики изготовленных фотопроводящих антенн. Определен диапазон оптимальной температуры постростового отжига (670–720$^\circ$C) пленок LT-GaAs.

Поступила в редакцию: 03.07.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2018.02.45459.16947