RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 2, страницы 96–103 (Mi pjtf5913)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке

В. Н. Бессоловa, Е. В. Гущинаa, Е. В. Коненковаab, Т. В. Львоваa, В. Н. Пантелеевa, М. П. Щегловa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Изучалось влияние сульфидной пассивации на начальные стадии зарождения и роста слоев AlN методом хлор-гидридной газофазной эпитаксии на ориентированной по плоскости (100) подложке кремния. Установлено, что после обработки подложки в водном растворе (NH$_{4}$)$_{2}$S наблюдается столбчатое зарождение кристаллов гексагонального нитрида алюминия двух кристаллографических модификаций, развернутых на угол 30$^\circ$. С использованием сульфидной обработки разработан простой способ удаления оксидов и подготовки поверхности подложки Si(100), пригодной для эпитаксии слоев III-нитридов.

Поступила в редакцию: 08.08.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2018.02.45470.17006


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:1, 81–83

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024