Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

Исследованы in situ генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$N/GaN/AlN общей толщиной более 3 $\mu$m в процессе ее роста на подложке 6$H$-SiC методом низкотемпературной плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при температурах подложки 690–740$^\circ$C. При комнатной температуре слои AlN и GaN показали остаточные сжимающие напряжения величиной -2.3 и -0.1 GPa соответственно, что позволило исключить растрескивание структуры при ее постростовом остывании.